Диелектрични слоеве от SiO2 и Si3N4 . Волт – фарадни характеристики на МОS структура
При производство на микроелектронни елементи се използват диелектрични слоеве
МАГАЗИН
Информация и рейтинг
| Дата: | 2013-01-26 |
| Тип: | Упражнение |
| Предмет: | Електроника |
| Страници: | 3 стр. |
| Размер: | 97.50 kB |
| Рейтинг: | |
| Сподели: |
Публикуван от
Document loading..
