3 стр.
Материали 71-80 от 10
3 стр.
2 стр.
Изследване на биполярен транзистор
• Да се изследва влиянието на положението на работната точка
0
0
0
2 стр.
Изследване на характеристиките на MOS транзистор
1. Да се снемат семейство от изходни статични характеристики
4
0
0
5 стр.
Изследване на статичните характеристики на биполярен транзистор.
снеме семейство изходни характеристики Ic=f(UCB) при IE = const.
0
0
0
3 стр.
Изследване на ПП диоди
Експериментално изследване на ВАХ на ПП диоди. Опитно и теоритично изследване на основните параметри и изследване влиянието на
2
0
0
3 стр.
Изследване на ВАХ на светодиоди
1. Запознаване с каталожните данни и общия вид на светодиода. Да се разпознаят изводите (катод, анод) на всички светодиоди.
5
0
0
4 стр.
Изследване на оптичните параметри на светодиоди
1.1. Измерва се ток на тъмно на фотодиода,генерирания
7
0
0
4 стр.
: Изследване на практически схеми за захранване на светодиода
1. За схемите от файлове LED1 LED5 да се изпълнят :
15
0
0
5 стр.
Изследване на фотодиоди
Принципът на действие на полупроводниковите фотоприемници се основава на
0
0
0
6 стр.
Декомпозиция на плазмени газоразрядни тънкослойни дисплеи
Плазмения дисплей се състои от две независимо изготвени подложки, образуващи
0
0
0