3 стр.
Материали 111-120 от 10
3 стр.
3 стр.
Изследване на характеристиките на MOS транзистор
1. Да се снемат семейството изходни статични характеристики
1
1
0
2 стр.
Изследване на биполярен транзистор.
• Да се изследва влиянието на положението на работната точка
1
0
0
4 стр.
Изследване на статичните характеристики на биполярен транзистор.
• Да се снеме семейство изходни характеристики Ic=f(UCB
1
0
0
3 стр.
Практически схеми с биполярни и MOS транзистори.
1. Файл EP30 – да се наблюдават времедиаграмите на входното и
1
0
0
7 стр.
3 стр.
6 Изследване на фотодиоди
Принципът на действие на полупроводниковите фотоприемници се основава на
3
0
0
3 стр.
Изследване на биполярен транзистор в динамичен режим в схеми ОЕ,ОБ и ОК
Основно предназначение на биполярния транзистор като активен елемент е
10
1
0
4 стр.
Изследване на статични характеристики на биполярен транзистор
Биполярния транзистор е активен полупроводников елемент. Действието му се
3
0
0
3 стр.
4 Изследване на ВАХ на светодиоди
1. Ток в права посока I - при определено право поляризиращо напрежение U
1
0
0